氮化銦(InN)發(fā)展成為新型的半導(dǎo)體功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料中，氮化銦具有良好的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電學(xué)傳輸特性，它有最大的電子遷移率、最大的峰值速率、最大的飽和電子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的帶隙、最小的電子有效質(zhì)量等優(yōu)異的性質(zhì)，這些使得氮化銦相對于氮化鋁(AlN)和氮化鎵(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更適合用于制備高頻器件，在高頻率、高速率晶體管的應(yīng)用開發(fā)方面具有非常獨特的優(yōu)勢，尤其在在制備太赫茲器件，化學(xué)傳感器、半導(dǎo)體發(fā)光二極管、全光譜太陽能電池等光電器件領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用價值。步驟S1、提供一襯底，在所述襯底上沉積一層介電薄膜； 步驟S2、對所述介電薄膜進行圖案化，得到均勻排列的多個介電凸臺； 步驟S3、提供一反應(yīng)室，將所述形成有介電凸臺的襯底放入反應(yīng)室中并將所述反應(yīng)室抽真空； 步驟S4、在所述介電凸臺及襯底上生長緩沖層，在介電凸臺的阻擋下，所述緩沖層的橫向生長與縱向生長產(chǎn)生差異，使得所述緩沖層在每一個介電凸臺的上方對應(yīng)形成一個凹槽； 步驟S5、在所述緩沖層上生長氮化銦，得到分別位于所述多個凹槽中的多個氮化銦柱，每一個凹槽中對應(yīng)形成一個氮化銦柱。