12039-79-1
中文名稱
硅化鉭
英文名稱
TANTALUM SILICIDE
CAS
12039-79-1
分子式
Si2Ta
分子量
237.12
MOL 文件
12039-79-1.mol
更新日期
2026/05/18 11:11:43
12039-79-1 結構式
基本信息
中文別名
硅化鉭二硅化鉭
二矽化鉭
二硅化鉭粉
硅化鉭 1KG
二硅化鉭(99.5%-TA)
英文別名
TANTALUM SILICIDETANTALUM DISILICIDE
TANTALUM (II) SILICIDE
tantalumsilicide(tasi2)
TANTALUM SILICIDE: 99.9%
Tantalum disilicide (TaSi2)
Tantalum silicide (99.5%-Ta)
TANTALUM SILICIDE -230 MESH
Tantalum disilicide powder (TaSi2)
TANTALUM SILICIDE ISO 9001：2015 REACH
所屬類別
無機化工：硅化物及硅酸鹽物理化學性質
熔點2200°C
密度9,14 g/cm3
形態(tài)粉末
比重9.14
顏色gray
電阻率 (resistivity)8.5 (ρ/μΩ.cm)
水溶解性Insoluble in water.
電導率37.028 W/(m·K)
晶體結構Hexagonal
水解敏感性1: no significant reaction with aqueous systems
穩(wěn)定性Corroded by molten Ni
CAS 數據庫12039-79-1
常見問題列表
概述
金屬硅化物有著類似金屬的導電性能、高溫性能、抗氧化性能和與硅集成電路的生產工藝相容性.過渡金屬硅化物可用于低電阻柵門和內連線、肖特基柵、電阻接觸。硅化鉭制備方法包括：燃燒合成法(combustionsynthesis，CS)或自蔓延高溫合成法、電弧熔煉法等。燃燒合成法或自蔓延高溫合成法是一種利用元素／化合物反應放熱來合成金屬間化合物的方法。它具有設備簡單、所需能耗低、合成時間短等優(yōu)點，其主要缺點是反應速度快，過程控制難，容易存在雜相。硅化鉭的燃燒合成需要預熱才能引發(fā)反應實現合成，但存在二硅化物以外的相。電弧熔煉法一般需要較長均勻化時間，同時在熔煉過程中由于揮發(fā)造成的硅損失可能導致一些雜相的生成。等離子體噴涂技術因其射流溫度高達10000℃，射流速度達300-400m/s，集高溫熔化、快速凝固和近凈成形等優(yōu)勢于一體，并且該技術不受形狀或尺寸限制，易于實現其短流程制備成形，逐漸發(fā)展成為一種新型的零部件成形技術，已經被用來制備一些零部件。利用等離子噴涂技術制備將硅化鉭粉制成塊材，這需要高純的硅化鉭粉末作為原料。因此，如何獲得高純度硅化鉭（沒有雜相生成）粉末成為關鍵。應用
硅化鉭具有高熔點、低電阻率、抗腐蝕、抗高溫氧化性以及與硅、碳等基體材料具有良好的兼容性等優(yōu)異性能，作為柵材料、集成電路的連結線路、高溫抗氧化涂層等，在電熱元件、高溫結構部件、電子器件等方面得到了較廣泛的研究與應用。制備
TaSi2粉末制備方法包括如下步驟：將-500目硅粉和-300目鉭粉按TaSi2的化學計量比稱重。這里為了獲得高純度的產品，需要選用高純度的硅粉和鉭粉，比如純度99.95或99.99%。選用-500目硅粉與-300目鉭粉配合是為了更好地使硅與鉭混合均勻，使鉭顆粒被硅顆粒包圍，有利于在后面燃燒合成的步驟中使硅和鉭之間更容易接觸反應。使用化學計量配比是為了得到TaSi2相。在都使用-200目或-300目硅粉和鉭粉的情況下，難以獲得完全的單相TaSi2相粉末，總會少量的Ta5Si3相。使用粒度更小的原料粉末能夠使反應更加完全，但這增加粉末氧含量，反而會阻礙合成反應。具體步驟如下：將-500目硅粉23.6克和-300目鉭粉76.4克稱重；加入占硅粉和鉭粉重量0.5克的NH4Cl粉末；將上述粉末球磨，球料比8：1，球磨時間12小時；將球磨后的粉末裝入碳化硅坩堝中，放在振動臺上振實到相對密度為40%；將裝粉末的坩堝裝入合成爐中，抽真空后充入氬氣，以每分鐘20℃升溫至650℃，用鎢絲通電引燃硅化鉭合成反應； 冷卻后用氧化鋯球和罐破碎得到最終粉末產品，經XRD檢測全部為硅化鉭相。