三甲基鎵
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- CAS號:
- 1445-79-0
- 英文名:
- TRIMETHYLGALLIUM
- 英文別名:
- TMGa;ium;Me3Ga;(CH3)3Ga;rimethylgallane;trimethylgallane;trimethyl-galliu;TRIMETHYLGALLIUM;GALLIUM TRIMETHYL;Trimethylgallium,99+%
- 中文名:
- 三甲基鎵
- 中文別名:
- 三甲基鎵;三甲基鎵;高純?nèi)谆?三甲基鎵TMGA;三甲基鎵(TMG)
- CBNumber:
- CB0288811
- 分子式:
- C3H9Ga
- 分子量:
- 114.83
- MOL File:
- 1445-79-0.mol
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三甲基鎵化學(xué)性質(zhì)
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熔點(diǎn):
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-15,8°C
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沸點(diǎn):
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55,7°C
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密度:
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1,151 g/cm3
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閃點(diǎn):
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-18°C
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形態(tài):
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liquid
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比重:
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1.1151
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顏色:
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colorless
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水解敏感性:
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10: reacts extremely rapidly with moisture and oxygen - may be pyrophoric - sealed system required
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敏感性:
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moisture sensitive
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InChIKey:
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XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N
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EPA化學(xué)物質(zhì)信息:
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Trimethylgallium (1445-79-0)
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三甲基鎵性質(zhì)、用途與生產(chǎn)工藝
三甲基鎵在常溫常壓下為無色透明有毒液體。在空氣中易氧化，在室溫自燃，燃燒時(shí)發(fā)出金屬氧化物白煙。高溫時(shí)自行分解。它在已烷、庚烷等脂肪族飽和烴和甲苯、二甲苯等芳香族烴中以任何比例相溶。與水激烈反應(yīng)生成Me2GaOH和[(Me2Ga)2O]X，并放出甲烷氣。
三甲基鎵可用于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)，制備GaAs、AsGaAl等半導(dǎo)體化合物等，是制造發(fā)光二極管等電子元件的鎵源，也用于太陽能電池的制造。
三甲基鎵（Ga(CH3)3，TMG）是 MOCVD 工藝技術(shù)生產(chǎn)光電材料如氮化鎵等的關(guān)鍵 MO 源原料，為MO 源化合物中應(yīng)用最廣泛的金屬有機(jī)化合物。MO 源，即金屬有機(jī)化合物，是光電半導(dǎo)體材料行業(yè)等領(lǐng)域的重要金屬來源，是 MOCVD 工藝（即金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝）等工藝技術(shù)生產(chǎn)制備合成新型半導(dǎo)體光電化合物材料的基礎(chǔ)源材料。
鎵鎂合金鹵代烷法：
該工藝方法也被稱為合金法，并且目前國內(nèi)投入實(shí)際工業(yè)化生產(chǎn)的工藝過程主要采用此合成制備方法。該工藝方法的制備合成步驟為：在充滿氬氣等惰性氣的合成釜反應(yīng)器中，一次性地投入高純鎵鎂合金和醚類溶劑如二甲醚、乙醚、四氫呋喃或甲基四氫呋喃等溶劑。在反應(yīng)釜設(shè)備緩慢攪拌的前提條件下逐漸滴入添加鹵代烷原料如溴甲烷或碘甲烷，同時(shí)嚴(yán)格控制鹵代烷的滴入添加速度及惰性溶劑的回流速度。待鹵代烷原料添加完成并且合成反應(yīng)完成后，將醚類輔助溶劑進(jìn)行蒸發(fā)回收，進(jìn)而使用減壓蒸餾等分離方法得到三甲基鎵與醚類溶劑的化學(xué)配合物，最后將所獲得的配合產(chǎn)物解配獲得三甲基鎵的制成品。
生產(chǎn)方法
由碘化甲基鎂與三氯化鎵反應(yīng)生成三甲基鎵醚絡(luò)合物，絡(luò)合物解離生成三甲基鎵。將粗制三甲基鎵醚絡(luò)合物蒸餾、分離、精餾、提純即可?；蛴萌谆X與三氯化鎵反應(yīng)可生成三甲基鎵和(CH3）2A1C12.經(jīng)蒸餾、加ＫＦ，再用物化方法提純可得99.999%產(chǎn)品。
三甲基鎵
上下游產(chǎn)品信息
上游原料
下游產(chǎn)品
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