硒化鍺
| 中文名稱 | 硒化鍺 |
|---|---|
| 中文同義詞 | 硒化鍺(II);硒化鍺;硒化鍺GESE;一硒化鍺;4N硒化鍺;5N硒化鍺;6N硒化鍺;硒化鍺4N-6N |
| 英文名稱 | GERMANIUM SELENIDE |
| 英文同義詞 | germaniumselenide(gese);GERMANIUM SELENIDE;GERMANIUM(II) SELENIDE, 99.999%;Germanium(IV)diselenide;Germanium(II) selenide(GeSe);Germanium Selenide Powder |
| CAS號 | 12065-10-0 |
| 分子式 | GeSe |
| 分子量 | 151.6 |
| EINECS號 | 235-061-4 |
| 相關(guān)類別 | 原料;Chalcogenides;Materials Science;Metal and Ceramic Science |
| Mol文件 | 12065-10-0.mol |
| 結(jié)構(gòu)式 |  |
硒化鍺 性質(zhì)
| 熔點(diǎn) | 670 °C(lit.) |
|---|---|
| 密度 | 5.6 g/mL at 25 °C(lit.) |
| 形態(tài) | 灰色斜方晶體或棕色粉末 |
| 顏色 | gray orthorhombic crystals, crystalline or brown powder |
| EPA化學(xué)物質(zhì)信息 | Germanium selenide (GeSe) (12065-10-0) |
硒化鍺一種正交晶系離子性晶體，具有穩(wěn)定的半導(dǎo)體性能。硒化鍺可由GeCl2與H2Se反應(yīng)可制得。純凈的GeSe是由Ge粉末與Se粉末按合適比例熔合得到的。
圖：硒化鍺根據(jù)晶型結(jié)構(gòu)分類，可分為：α-GeSe β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化鍺五種單層晶型，它們均表現(xiàn)出穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型結(jié)構(gòu)是間接帶隙半導(dǎo)體材料,而α-GeSe是直接帶隙半導(dǎo)體. β-GeSe單層材料適用于光催化分解水。[1] http://www.chazidian.com/baike/477878/
[2] 張勝利, 劉尚果, 黃世萍,等. 單層硒化鍺多形體的結(jié)構(gòu)特性和電子性質(zhì)[J]. Science China Materials, 2015(12).
圖：硒化鍺根據(jù)晶型結(jié)構(gòu)分類，可分為：α-GeSe β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化鍺五種單層晶型，它們均表現(xiàn)出穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型結(jié)構(gòu)是間接帶隙半導(dǎo)體材料,而α-GeSe是直接帶隙半導(dǎo)體. β-GeSe單層材料適用于光催化分解水。[1] http://www.chazidian.com/baike/477878/
[2] 張勝利, 劉尚果, 黃世萍,等. 單層硒化鍺多形體的結(jié)構(gòu)特性和電子性質(zhì)[J]. Science China Materials, 2015(12).
生產(chǎn)方法
由GeCl2與H2Se反應(yīng)可制得GeSe。純凈的GeSe是由Ge粉末與Se粉末按合適比例熔合得到的。
安全信息
| 危險品標(biāo)志 | T,N |
|---|---|
| 危險類別碼 | 23/24/25-33-36/37/38-50/53-23/25 |
| 安全說明 | 26-28-36/37/39-45-61-60-20/21 |
| 危險品運(yùn)輸編號 | UN 3283 6.1/PG 3 |
| WGK Germany | 3 |
| TSCA | TSCA listed |