CFM閃存市場的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，AI手機(jī)的占比將從2024年的10％左右，迅速增長至2025年的30％左右、2026年進(jìn)一步增長至50％左右。存儲(chǔ)正成為支撐AI算力落地的關(guān)鍵底座，發(fā)展勢頭良好，2024年全球存儲(chǔ)行業(yè)總收入達(dá)到了1670億美元的歷史新高。
2024年全球存儲(chǔ)芯片市場主要由三星、SK海力士、鎧俠、美光和閃迪（舊西部數(shù)據(jù)）五大廠商主導(dǎo)，它們占據(jù)了全球92.7%的市場份額。其中鎧俠承擔(dān)了閃迪的晶圓生產(chǎn)，其產(chǎn)能占據(jù)全球閃存芯片市場的份額約30%。
近期，鎧俠還宣布了第十代BiCS10（最多可堆疊332層），BiCS10采用更先進(jìn)的存儲(chǔ)陣列，實(shí)現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)、存儲(chǔ)密度，以及更高的性能。未來，更高層堆疊與異構(gòu)集成技術(shù)或成主流方向，2030年前后，三星和鎧俠都計(jì)劃向1000層NAND閃存邁進(jìn)。
堆疊層數(shù)的增加會(huì)大大增加成本，技術(shù)難度較大，蝕刻難度也會(huì)迅速增加，蝕刻工藝、金屬布線、腔室清潔等工藝對氣體材料提出了哪些新的要求求及變化？
日本關(guān)東電化公司用于刻蝕工藝的新型電子特氣KSG系列“KSG-14”和“KSG-5”已經(jīng)開始銷售，預(yù)計(jì)截至2026年3月的財(cái)年銷售額約為40億日元。目前正考慮量產(chǎn)用于低溫蝕刻的“KSG-22”，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)截至2027年3月的財(cái)年銷售額約為5億日元。
存儲(chǔ)芯片內(nèi)部大量的數(shù)據(jù)傳輸路徑需要通過金屬布線來實(shí)現(xiàn)，鉬前驅(qū)體有望取代現(xiàn)有的六氟化鎢成為下一代金屬布線材料，有助于提升NAND閃存的整體性能和可靠性。美光已確認(rèn)采用這種工藝，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子自第9代（286層）NAND以來一直在使用鉬，從400層的第10代NAND開始，鉬的比例有望進(jìn)一步增加。
鎧俠電子（中國）有限公司 采購總監(jiān)高田祐生先生，采購高級經(jīng)理廖凱先生將出席4月16日至18日在江蘇無錫舉辦的2025氣博會(huì)暨第10屆國際氣體產(chǎn)業(yè)大會(huì)并作專題分享《先進(jìn)存儲(chǔ)芯片技術(shù)發(fā)展對氣體材料的需求及變化》。
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