在半導(dǎo)體與OLED面板制造的微觀世界里，純度即良率，潔凈即生命。隨著制程不斷向14nm、7nm乃至5nm演進，每一滴電子級溶劑的純度和潔凈度，都直接決定著芯片的電性能、可靠性與面板的顯示品質(zhì)。國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會（SEMI）標(biāo)準(zhǔn)將濕電子化學(xué)品分為G1至G5五個等級。其中，G3級是先進制程的“合格線”，G4級是高端制造的“標(biāo)配線”——金屬離子含量從G3級的亞ppb級躍升至G4級的ppt級（萬億分之一），顆粒物控制從0.2μm收緊至0.1μm（表1）。
表1 濕電子化學(xué)品等級分類、技術(shù)指標(biāo)及應(yīng)用
| 產(chǎn)品等級 | 金屬雜質(zhì)（含量） | 顆粒（粒徑 & 數(shù)量） | 控制粒徑（μm） | 主要應(yīng)用領(lǐng)域 | G1
≤ 100 ppb
≤ 25 顆粒/mL（≥5μm）
5 μm
光伏太陽能電池、分立器件、低檔元器件
G2
≤ 10 ppb
≤ 25 顆粒/mL（≥1μm）
1 μm
平板顯示（FPD）、功率器件、6英寸及以下的硅基芯片
G3
≤ 1 ppb
≤ 25 顆粒/mL（≥0.5μm）
0.5 μm
8英寸硅基芯片、先進封裝、部分12英寸芯片
G4
≤ 0.1 ppb（100 ppt）
≤ 20 顆粒/mL（≥0.2μm）
0.2 μm
12英寸（300mm）硅基芯片（線寬 65nm-90nm）
G5
≤ 0.01 ppb（10 ppt）
≤ 5 顆粒/mL（≥0.1μm）
0.1 μm 或更小
12英寸及以上的先進制程芯片（線寬 < 65nm，如28nm、14nm、7nm、5nm）
百靈威為您提供覆蓋半導(dǎo)體與OLED全制程的G3/G4級電子級溶劑產(chǎn)品矩陣，以極致純度護航每一道關(guān)鍵工藝。
?產(chǎn)品優(yōu)勢
全產(chǎn)品線覆蓋：從光刻膠溶劑、清洗劑到顯影液，一站式滿足半導(dǎo)體與OLED制造需求。
G3/G4級品質(zhì)保障：嚴(yán)格執(zhí)行SEMI國際標(biāo)準(zhǔn)，金屬離子含量低至ppt級，顆粒物控制達0.1μm。
國產(chǎn)化替代先鋒：G4及以下通用型產(chǎn)品國產(chǎn)化率已達70%-90%，我們以穩(wěn)定的供應(yīng)鏈與卓越的品質(zhì)，助力客戶降本增效、保障供應(yīng)安全。
先進制程驗證：產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于14nm及以下先進制程芯片制造與OLED高世代線面板生產(chǎn)。
?應(yīng)用場景
半導(dǎo)體與OLED制造涉及黃光制程、濕法清洗與蝕刻、面板制造及顯影剝離四大核心工序，每一道工序?qū)瘜W(xué)品的純度與潔凈度都有嚴(yán)苛要求。不同制程適用的產(chǎn)品系列總結(jié)如下（表2）：
表2 濕電子化學(xué)品在半導(dǎo)體與OLED制程中的應(yīng)用
| 應(yīng)用場景 | 產(chǎn)品名稱 | CAS | 應(yīng)用描述 | 我司等級 | 黃光制程
光刻膠溶劑與清洗
丙二醇甲醚（PGME）
107-98-2
光刻膠配方與邊珠去除（EBR）的核心溶劑
G4
丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）
108-65-6
正性光刻膠標(biāo)準(zhǔn)稀釋劑
G4
乙酸乙酯（EA）
141-78-6
揮發(fā)快、溶解性好，用于光刻膠稀釋與精密清洗
G3
乙酸丁酯（n-BA）
123-86-4
光刻膠溶劑與清洗劑
G3
環(huán)己烷（CyH）
110-82-7
非極性光刻膠溶劑與清洗去油劑
G3
N-甲基吡咯烷酮（NMP）
872-50-4
對光刻膠具有極強溶解力，是剝離與清洗核心溶劑
G3
濕法清洗與蝕刻
去除"隱形殺手"
異丙醇（IPA）
67-63-0
晶圓最終漂洗首選，14nm以下先進制程必備耗材
G4
甲醇（MeOH）
67-56-1
晶圓清洗，有效去除表面污染物
G4
氨水（NH?·H?O）
1336-21-6
RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗（SC-1）核心組分
G4
氫氟酸 49%（HF 49%）
7664-39-3
用量最大的濕電子化學(xué)品之一，用于清洗與蝕刻
G4
OLED面板制造
純凈度決定器件良率
丙二醇甲醚（PGME）
丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）
107-98-2
108-65-6
光刻膠稀釋與剝離，"黃金搭檔"
G4
異丙醇（IPA）
67-63-0
ITO玻璃清洗與最終漂洗
G4
N-甲基吡咯烷酮（NMP）
872-50-4
光刻膠剝離核心溶劑
G3
乙酸乙酯/環(huán)己烷
（EA/CyH）
141-78-6
110-82-7
光刻膠稀釋與精密清洗
G3
顯影與剝離
精準(zhǔn)圖形轉(zhuǎn)移
四甲基氫氧化銨 25%（TMAH 25%）
75-59-2
光刻工藝中無可替代的堿性顯影液
G3
乙二醇（EG）
107-21-1
IC、TFT-LCD等制程的清洗及冷卻劑
G3
三氯乙烯（TCE）
28-86-1
適用于硅器件、大規(guī)模集成電路器件的清洗
G3
注：PGME與PGMEA常按7:3或8:2配比聯(lián)用，是半導(dǎo)體黃光制程不可替代的溶劑組合。G4級產(chǎn)品金屬離子含量≤0.1 ppb，顆粒物控制至0.2μm，已在12英寸芯片及OLED高世代線實現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。
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