硒化銦性質熔點890°C密度5.67g/mLat25°C(lit.)形態(tài)lumps顏色Silver-gray水溶解性Insolubleinwater.CAS數(shù)據(jù)庫12056-07-4(CASDataBaseReference)EPA化學物質信息Indiumselenide(In2Se3)(12056-07-4)硒化銦用途與合成方法應用銦硒化物又叫硒化銦。硒化銦是典型的二維層狀半導體材料，帶隙范圍為1.24-1.54eV，具體的帶隙范圍取決于層數(shù)。硒化銦薄膜具有優(yōu)異的電子和光電特性。對于硒化銦物理性質的研究已經付出了相當大的努力。已有報道已經證明，暴露于環(huán)境條件下的二維材料器件由于界面引起的額外的散射而顯著的降低了載流子遷移率。作用高k電介質可以有效的屏蔽二維場效應晶體管的庫倫雜質散射(CI)。多層硒化銦晶體管顯示出高場效應遷移率，AlO電介質可以降低庫倫散射。硒化銦場效應晶體管的電學穩(wěn)定性在實際應用中起著至關重要的作用，而電學穩(wěn)定性體現(xiàn)在傳輸特性的滯后作用中。