Dopant 材料具有很強的發(fā)光能力，該類材料在較低濃度時發(fā)光很強，但分 子聚集態(tài)卻表現(xiàn)出強烈的濃度猝滅特性，即隨著材料濃度升高，無輻射躍遷概率 增大，反而降低了發(fā)光效率，因此很難單獨作為發(fā)光材料。將這類材料摻雜在 Host 材料中，制備的摻雜發(fā)光器件可以實現(xiàn)很好的電致發(fā)光。在器件中，除了 Dopant 材料直接俘獲載流子外，激子形成過程還包括了從 Host 材料向 Dopant 材料的能量轉移過程，Dopant 材料接受能量得到激發(fā)下，實現(xiàn)高效發(fā)光，從而 提升了器件整體的發(fā)光效率。Dopant 材料的引入使得器件結構設計更加方便， 發(fā)光層材料選擇更加靈活，同時也有效延長了器件壽命。