目前，電子傳輸層主要采用的材料是SnO₂，而在少數(shù)情況下也會使用其它材料，如TiO₂等。2015年，Correa Baena團隊首次使用ALD沉積SnO₂，加工溫度為118℃。(Energy & Environmental Science 2015, 8: 2928-2934) 此后Lv團隊設計了一種可低溫應用的ALD技術，制備了無針孔的TiO₂作為ETL，電池效率可達18.3%。(Energy & Environmental Science 2020, 13: 1997–2023)。

由于沉積溫度的限制，ALD制備SnO₂使用的前驅(qū)體目前大都是四二甲氨基錫(TDMASn)，其沉積溫度可以低至80 ℃，并且表現(xiàn)出優(yōu)異的電子傳輸性能和能級對準。南京大學譚海仁課題組設計了高效穩(wěn)定的全鈣鈦礦疊層電池結(jié)構，用ALD生長了致密的SnO₂層，有效提高了疊層電池的穩(wěn)定性。其制備的高效大面積全鈣鈦礦疊層PSC效率達到24.7%（如圖3所示）。為了證明該設計可實現(xiàn)大面積的產(chǎn)業(yè)化應用，還制備了單個電池面積達12cm²的疊層電池，器件轉(zhuǎn)換效率高達21.4%（如圖3i所示），展示了該疊層器件結(jié)構和ALD制備技術具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。（Nat. Energy 2019, 4, 864–873）