目前，電子傳輸層主要采用的材料是SnO₂，而在少數(shù)情況下也會(huì)使用其它材料，如TiO₂等。2015年，Correa Baena團(tuán)隊(duì)首次使用ALD沉積SnO₂，加工溫度為118℃。(Energy & Environmental Science 2015, 8: 2928-2934) 此后Lv團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種可低溫應(yīng)用的ALD技術(shù)，制備了無(wú)針孔的TiO₂作為ETL，電池效率可達(dá)18.3%。(Energy & Environmental Science 2020, 13: 1997–2023)。

由于沉積溫度的限制，ALD制備SnO₂使用的前驅(qū)體目前大都是四二甲氨基錫(TDMASn)，其沉積溫度可以低至80 ℃，并且表現(xiàn)出優(yōu)異的電子傳輸性能和能級(jí)對(duì)準(zhǔn)。南京大學(xué)譚海仁課題組設(shè)計(jì)了高效穩(wěn)定的全鈣鈦礦疊層電池結(jié)構(gòu)，用ALD生長(zhǎng)了致密的SnO₂層，有效提高了疊層電池的穩(wěn)定性。其制備的高效大面積全鈣鈦礦疊層PSC效率達(dá)到24.7%（如圖3所示）。為了證明該設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)大面積的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，還制備了單個(gè)電池面積達(dá)12cm²的疊層電池，器件轉(zhuǎn)換效率高達(dá)21.4%（如圖3i所示），展示了該疊層器件結(jié)構(gòu)和ALD制備技術(shù)具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。（Nat. Energy 2019, 4, 864–873）