碲化鋅是一種Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料,該材料為p型寬禁帶半導體,室溫下禁帶寬度為2.26eV,77K時增至2.38eV 。物理特性涵蓋近紅外電光效應、光導及熒光性能,化學性質(zhì)表現(xiàn)為與稀酸反應釋放劇毒碲化氫氣體。應用領域包括紅外光學元件、THz輻射源與探測器,以及綠光發(fā)射器件、太陽能電池等光電器件。
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