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12065-10-0

中文名稱 硒化鍺
英文名稱 GERMANIUM SELENIDE
CAS 12065-10-0
分子式 GeSe
分子量 151.6
MOL 文件 12065-10-0.mol
12065-10-0 結構式 12065-10-0 結構式

基本信息

中文別名
硒化鍺
一硒化鍺
硒化鍺GESE
硒化鍺(II)
英文別名
GERMANIUM SELENIDE
germaniumselenide(gese)
Germanium(IV)diselenide
Germanium Selenide Powder
Germanium(II) selenide(GeSe)
GERMANIUM(II) SELENIDE, 99.999%
所屬類別
無機化工：硫族化合物

物理化學性質

熔點670 °C(lit.)
密度5.6 g/mL at 25 °C(lit.)
形態(tài)灰色斜方晶體或棕色粉末
顏色gray orthorhombic crystals, crystalline or brown powder

安全數(shù)據(jù)

危險性符號(GHS)健康危害 (GHS08)環(huán)境危害 (GHS09)有毒 (GHS06)
GHS08,GHS09,GHS06
警示詞危險
危險品標志T,N
危險品運輸編號UN 3283 6.1/PG 3
WGK Germany3
TSCATSCA listed

制備方法

方法1

由GeCl2與H2Se反應可制得GeSe。純凈的GeSe是由Ge粉末與Se粉末按合適比例熔合得到的。

常見問題列表

概述
硒化鍺一種正交晶系離子性晶體，具有穩(wěn)定的半導體性能。硒化鍺可由GeCl2與H2Se反應可制得。純凈的GeSe是由Ge粉末與Se粉末按合適比例熔合得到的。
硒化鍺
圖：硒化鍺
分類
根據(jù)晶型結構分類，可分為：α-GeSe β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化鍺五種單層晶型，它們均表現(xiàn)出穩(wěn)定的半導體特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型結構是間接帶隙半導體材料,而α-GeSe是直接帶隙半導體. β-GeSe單層材料適用于光催化分解水。
參考文獻
[1]  http://www.chazidian.com/baike/477878/
[2] 張勝利, 劉尚果, 黃世萍,等. 單層硒化鍺多形體的結構特性和電子性質[J]. Science China Materials, 2015(12).
"12065-10-0" 相關產品信息
1314-98-3 1306-24-7 25617-97-4
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