硒化銦是一種無機(jī)化合物，化學(xué)式為In2Se3。其為黑色晶體或暗黑色鱗片狀物質(zhì)，是典型的二維層狀半導(dǎo)體材料。

物質(zhì)結(jié)構(gòu)

通過In-Se熔融體的X射線衍射研究指出有五種二元化合物，In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4、In2Se3。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五種晶體結(jié)構(gòu)。

制備方法

單晶硒化銦可以用 Bridgman–Stockberger 法制備，以一定比例的硒單質(zhì)和銦單質(zhì)為原料，在管式爐中高溫長時反應(yīng)，能制得硒化銦的每種化合物。

In2Se3的水熱法合成研究較晚，將抗壞血酸在60℃條件下溶于乙醇溶液中，然后加入InCl3和Se粉，裝入反應(yīng)釜中后在220℃高溫下保持20小時，得到了直徑為2-4μm的花狀γ-In2Se3球體。

研究進(jìn)展

2016年11月，曼徹斯特大學(xué)和諾丁漢大學(xué)的研究人員合成納米級超薄硒化銦，僅有幾層原子的厚度，并表現(xiàn)出優(yōu)于硅的半導(dǎo)體性能，是未來替代硅制作電子芯片的理想材料。