SiC 晶須（SiCw）是一種直徑為納米級(jí)至微米級(jí)的具有高度取向性的單晶纖維，晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相類似，晶體內(nèi)化學(xué)雜質(zhì)少，無(wú)晶粒邊界，晶體結(jié)構(gòu)缺陷少，結(jié)晶相成分均一。其具有高熔點(diǎn)、低密度、高強(qiáng)度、高彈性模量、低熱膨脹率以及耐磨、耐腐蝕、抗高溫氧化能力強(qiáng)等特性。主要用于需要高溫高強(qiáng)應(yīng)用材質(zhì)的增韌場(chǎng)合。

SiC晶須已廣泛用于增韌金屬基、陶瓷基和聚合物基復(fù)合材料。
（1）SiCw增韌金屬基復(fù)合材料具有輕質(zhì)、高強(qiáng)度、耐熱、低的熱膨脹系數(shù)、脫氣性好等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于航空航天和軍事領(lǐng)域，如飛機(jī)蒙皮、翼面、垂尾、導(dǎo)彈、超輕空間望遠(yuǎn)鏡等；還可用于汽車、機(jī)械等部件及體育運(yùn)動(dòng)器材等。
（2）SiCw增韌陶瓷基復(fù)合材料主要有Al2O3、ZrO2、莫來(lái)石陶瓷等，隨著復(fù)合技術(shù)的不斷成熟，又出現(xiàn)了SiCw增韌Si3N4、ZrB2以及玻璃陶瓷等復(fù)合材料。適用于制造各種用途的碳化硅磨具和陶瓷窯具以及耐火材料等。
（3）SiCw增韌聚合物復(fù)合材料：SiCw作為聚合物材料的增韌補(bǔ)強(qiáng)劑時(shí)既不增加熔體粘度，又能顯著提高材料的韌性和延伸率，可用于制備形狀復(fù)雜、精度高、表面光潔度高的零部件。

SiC晶須可以通過(guò)以下幾個(gè)途徑合成：
（1）化學(xué)氣相沉積法：合成SiCw的氣相反應(yīng)法中化學(xué)氣相沉積法是使用最為廣泛的，而且用這個(gè)方法制備出的SiC純度非常得高。此法是通過(guò)H,等載氣把反應(yīng)物帶入反應(yīng)室中的，然后在過(guò)渡金屬的催化作用下，在石墨、單晶硅、碳化硅基體上生成SiCw。
（2）CVD法：以有機(jī)硅化物為原料，如以Si(CH)CICH SiCl,等為反應(yīng)物，加熱至1100-1500℃使之發(fā)生熱分解或者用氫還原反應(yīng)物來(lái)制備SiCw。
（3）電弧放電法：以含催化劑(鐵)的碳化硅棒為陽(yáng)極，以石墨為陰極，在低氣壓下發(fā)生電弧放電反應(yīng)合成SiCw。用這種方法生成的SiCw，直徑一般在20-60nm之間，表面很光滑，而且在SiCw的頂端還有Fe納米粒子的存在。此法所用到的原料都很常見(jiàn)而且設(shè)備簡(jiǎn)單、成本也不高，有大批量生產(chǎn)SiCw的潛力。