一氧化硅
| 中文名稱 | 一氧化硅 |
|---|---|
| 中文同義詞 | 一氧化硅(>99%,BR);氧化硅(II);一氧化硅, OPTICAL GRADE (METALS BASIS);一氧化硅(II), 光學(xué)純, 99.7% (METALS BASIS);氧化亞硅(II)濺射靶, 50.8MM (2.0IN) 直徑 X 6.35MM (0.250IN) 厚, 99.9% (METALS BASIS);一氧化硅(II), 99.99% (METALS BASIS);一氧化硅(II), 光學(xué)級, 99.8% (METALS BASIS);一氧化硅(II),光學(xué)純, 99.8% (METALS BASIS) |
| 英文名稱 | Silicon monoxide |
| 英文同義詞 | Monox;oxo-silylen;Silylene, oxo-;silicon monooxide coating quality balzers;silicon monoxide coating quality balzers;SiliconIIoxidegranularmeshbrownpowder;SiliconIIoxidemeshbrownpowder;Siliconmonoxidepowder |
| CAS號 | 10097-28-6 |
| 分子式 | OSi |
| 分子量 | 44.09 |
| EINECS號 | 233-232-8 |
| 相關(guān)類別 | 催化和無機化學(xué);類金屬;硅;Cn硅化合物及硅酸鹽;無機化工產(chǎn)品;無機鹽;鍍膜材料;無機化工;無機氧化物;硅烷試劑;Inorganic Chemicals;Metal and Ceramic Science;Oxides;metal oxide;合成中間體;生化試劑;生化試劑-其他化學(xué)試劑;化工原料;常規(guī)氧化物粉體-一氧化硅;氧化物;無機化工原料 |
| Mol文件 | 10097-28-6.mol |
| 結(jié)構(gòu)式 |  |
一氧化硅 性質(zhì)
| 熔點 | 1870 °C |
|---|---|
| 沸點 | 1880°C |
| 密度 | 2.13 g/mL at 25 °C (lit.) |
| 折射率 | 1.9800 |
| 閃點 | 1880°C |
| 儲存條件 | Store at room temperature, keep dry and cool |
| 形態(tài) | 粉末 |
| 顏色 | 黑色 |
| 比重 | 2.13 |
| 水溶解性 | Insoluble in water. |
| 比熱容 | Cp(gas): 0.68 J/(g·K), at 25℃ |
| 水解敏感性 | 1: no significant reaction with aqueous systems |
| Merck | 14,8496 |
| 穩(wěn)定性 | 穩(wěn)定的。 |
| 主要應(yīng)用 | 電池制造 |
| InChI | 1S/OSi/c1-2 |
| InChIKey | LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N |
| SMILES | [O+]#[Si-] |
| CAS 數(shù)據(jù)庫 | 10097-28-6(CAS DataBase Reference) |
| NIST化學(xué)物質(zhì)信息 | Silicon monoxide(10097-28-6) |
| EPA化學(xué)物質(zhì)信息 | Silylene, oxo- (10097-28-6) |
一氧化硅，白色立方系晶體或棕色粉末，不溶于水，溶于稀氫氟酸與硝酸混合液，與沸苛性堿溶液作用生成硅酸鹽和氫氣，能被鹵素氧化，在空氣中表面易氧化生成二氧化硅保護膜而變得無活性，高溫下有強還原性，能將水蒸氣、二氧化碳、石灰石等物質(zhì)還原；工業(yè)上常由二氧化硅與單質(zhì)硅粉在高真空1400℃以上反應(yīng)后升華制得；常用于制備光學(xué)玻璃和半導(dǎo)體材料。白色立方系晶體或棕色粉末。熔點高于1702℃，沸點1880℃，相對密度2.13。硬度與硅相似。紅熱時也不導(dǎo)電。溶于稀的氫氟酸和硝酸的混合液，亦溶于濃堿溶液，并放出氫生成硅酸鹽。不溶于水。在空氣中表面易氧化生成二氧化硅保護膜而變得無活性。在高溫下有強還原性，能將水蒸氣、二氧化碳、石灰石等還原。 300～400℃時與鹵素反應(yīng)。只有在高于1500℃時才能穩(wěn)定存在。低于1500℃時按下式反應(yīng)分解。
2SiO=Si+SiO21.由二氧化硅與單質(zhì)硅粉在高真空1400℃以上反應(yīng)后升華而得。
SiO2+Si=2SiO
圖1為一氧化硅合成工藝流程圖
2.由碳和過量的二氧化硅加熱到2000℃左右后升華而得。
SiO2+C=SiO+CO
3.在高溫下用氫氣還原二氧化硅，再經(jīng)真空升華而制得。
H2+SiO2=SiO+H2O用于制光學(xué)玻璃和半導(dǎo)體材料。
有關(guān)一氧化硅的概述、理化性質(zhì)、制備方法、用途是由Chemicalbook的丁紅編輯整理（2015-11-16）
SiO2+C→SiO+CO
2SiO=Si+SiO21.由二氧化硅與單質(zhì)硅粉在高真空1400℃以上反應(yīng)后升華而得。
SiO2+Si=2SiO
圖1為一氧化硅合成工藝流程圖
2.由碳和過量的二氧化硅加熱到2000℃左右后升華而得。
SiO2+C=SiO+CO
3.在高溫下用氫氣還原二氧化硅，再經(jīng)真空升華而制得。
H2+SiO2=SiO+H2O用于制光學(xué)玻璃和半導(dǎo)體材料。
有關(guān)一氧化硅的概述、理化性質(zhì)、制備方法、用途是由Chemicalbook的丁紅編輯整理（2015-11-16）
化學(xué)性質(zhì)
白色立方體或黃土色無定形粉末，在空氣中熱處理時，黃土色粉末變成白色粉末。熔點大于1702℃。沸點1880℃。相對密度2.13。不溶于水，溶于稀氫氟酸與硝酸的混酸中。用途
一氧化硅微粉末因極富有活性，可作為精細陶瓷合成原料，如氮化硅、碳化硅精細陶瓷粉末原料。用途
用作光學(xué)玻璃和半導(dǎo)體材料的制備用途
作為精細陶瓷原料具有重要價值。也可在真空中將其蒸發(fā)，涂在光學(xué)儀器用的金屬反射鏡上作保護膜。還可用于制造半導(dǎo)體材料。也用于光學(xué)玻璃。生產(chǎn)方法
將SiO2含量為99.5%的二氧化硅粉末和煤瀝青粉末混合，C/SiO2混合摩爾比為2.0，混合物經(jīng)減壓加熱處理，其溫度為1600℃，壓力為1.013 kPa，經(jīng)還原反應(yīng)生成SiO蒸氣，通入氬氣，將SiO蒸氣凝結(jié)輸送，制成0.1 μm以下的一氧化硅粉末。SiO2+C→SiO+CO
安全信息
| 提供商 | 語言 |
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| 更新日期 | 產(chǎn)品編號 | 產(chǎn)品名稱 | CAS號 | 包裝 | 價格 |
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| 2026/07/06 | 089430 | 一氧化硅(II), 光學(xué)級, 99.8% (metals basis) Silicon(II) oxide, Optical Grade, 99.8% (metals basis), Thermo Scientific Chemicals | 10097-28-6 | 50g | 566元 |
| 2026/07/06 | 041711 | 一氧化硅(II), 99.9% (metals basis) Silicon(II) oxide, 99.9% (metals basis), Thermo Scientific Chemicals | 10097-28-6 | 100g | 701元 |