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三氧化二鈰的制備方法

2022/8/10 13:20:28
三氧化二鈰是稀土元素鈰(Ⅲ)的氧化物,為白色固體,實際上是一個組成在CeO1.50~1.53的非整比化合物。難溶于水和堿,可溶于酸。它不如二氧化鈰(CeO2)常見。

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用途

三氧化二鈰可用在汽車的催化轉(zhuǎn)化器中以降低尾氣中一氧化碳和氮氧化物的含量。

制備方法

三氧化二鈰可由二氧化鈰在高溫時被還原制得。比如以一氧化碳為還原劑時,反應(yīng)式為:

4 CeO2 + 2 CO → 2 Ce2O3 + 2 CO2 ↑

立方相三氧化二鈰(Ce2O3)單晶薄膜的方法:

對于立方相的Ce2O3,目前市場上沒有單晶購買,主要是在實驗室制備。目前,制備Ce2O3的方法有兩種,一種方法為在氧氣氛下沉積金屬鋪(Ce),通過控制氧分壓的大小和退火溫度得到立方相Ce2O3,此種方法可獲得立方相Ce2O3為(I 11)面;另外一種方法為在氧氣氛下先制備出CeO2,然后再在CeO2表面沉積金屬鈰,通過退火還原而得到立方相Ce2O3,此種方法得到的立方相Ce2O3薄膜的晶面依然是(111)面。其他晶面的Ce2O3的制備方法,例如(001)面,目前現(xiàn)有技術(shù)中并沒有揭露。

鑒于此,CN105951178A提供一種制備立方相Ce2O3(OOl)面單晶薄膜的方法實為必要。

一種制備立方相三氧化二鈰(Ce2O3)單晶薄膜的方法,其特征在于:所述方法包括: 提供一單晶鎢(110)襯底,并對其表面進行清潔處理,以獲得原子級平整的表面; 提供鈰(Ce)蒸發(fā)源,并在處理后的單晶鎢(110)襯底表面沉積Ce,在處理后的單晶鎢(110)襯底表面獲得厚度為2?5納米(nm)的Ce單晶薄膜; 在室溫下氧化Ce單晶薄膜,獲得CeO2; 在真空環(huán)鏡中對CeO2進行退火處理,退火溫度為900°C,時間為15?30分鐘,獲得晶面(001)面的Ce2O3單晶薄膜。

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