三異丙基硅烷 (TIS) 是一種受阻氫硅烷，常被用作陽離子清除劑，用于在肽合成過程中去除氨基酸保護(hù)基團(tuán)。本文將介紹它的其它用途，包括用于沉積薄膜以及合成二氮喹霉素。

沉積薄膜^[1]

等離子體增強(qiáng)原子層沉積 (PEALD) 工藝是一種使用等離子體激活的三異丙基硅烷 [TIPS, ((iPr)3SiH)] 前驅(qū)體進(jìn)行 SiO2 薄膜生長的技術(shù)。三異丙基硅烷在工藝的前驅(qū)體注入階段被氬等離子體激活。使用激活的TIPS，可以通過調(diào)節(jié)等離子體點火時間來控制沉積膜每個周期的生長速率。PEALD 技術(shù)允許在低至 50°C 的溫度下沉積不含碳雜質(zhì)的 SiO2 薄膜。此外，等離子點火時間為3秒和10秒獲得的薄膜具有相似的均方根表面粗糙度值。為了評估TIPS作為SiO2薄膜低溫沉積前驅(qū)體的適用性，測量了TIPS的蒸氣壓。通過分析 TIPS 傅里葉變換紅外光譜中 C-H 和 Si-H 峰的強(qiáng)度變化，研究了氣相三異丙基硅烷的熱穩(wěn)定性和對水蒸氣的反應(yīng)性。

合成二氮喹霉素

Allan M. Prior 和 Dianqing Sun^[2]通過二胺與 Meldrum 酸衍生物的選擇性酰胺化，隨后 EDC 與 3-氧代丁酸偶聯(lián)，實現(xiàn)了二氮喹霉素 H (1) 和 J (2) 的首次全合成，這兩種化合物是有前景的抗結(jié)核天然產(chǎn)物先導(dǎo)物。在三異丙基硅烷 (TIPS) 存在下通過雙克諾爾環(huán)化反應(yīng)。作者發(fā)現(xiàn)，添加 三異丙基硅烷對于獲得純二氮喹霉素 H 和 J 至關(guān)重要，同時防止末端異支鏈尾部在硫酸中異構(gòu)化。所開發(fā)的合成方法通過 8 個步驟從起始原料中獲得了二氮喹霉素 H (1) 和 J (2)，總產(chǎn)率分別為 25% 和 21%。 

參考文獻(xiàn)

[1] Plasma-enhanced atomic layer deposition of silicon dioxide films using plasma-activated triisopropylsilane as a precursor. doi:10.1116/1.4871455

[2] Total synthesis of diazaquinomycins H and J using double Knorr cyclization in the presence of triisopropylsilane. doi:10.1039/C8RA09792E