砷化銦在化學工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域中主要用作光學材料、催化劑等，在光纖通訊和半導體材料的開發(fā)與利用領(lǐng)域中有較好的應用。

砷化銦是由銦和砷構(gòu)成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料。常溫呈銀灰色固體，具有閃鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為0.6058nm，密度為5.66g/cm3(固態(tài))、5.90g/cm3(熔點時液態(tài))。能帶結(jié)構(gòu)為直接躍遷，禁帶寬度(300K)0.45eV。InAs在熔點(942℃)時砷的離解壓只有0.033MPa，可在常壓下由熔體生長單晶。常用的有HB和LEC方法，單晶直徑達φ50mm。