西湖大學(xué)孔瑋教授團(tuán)隊(duì)近期在《自然·電子》上報(bào)道了一項(xiàng)重磅突破：通過基于氧化物的“干法轉(zhuǎn)移”策略，成功實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓級(jí)單晶二硫化鉬（MoS?）薄膜在柔性基底上的高質(zhì)量集成。該技術(shù)先通過電子束蒸發(fā)沉積極薄的三氧化二鋁（Al?O?）增強(qiáng)界面結(jié)合，再以原子層沉積（ALD） 覆蓋另一層Al?O?形成高介電常數(shù)柵介質(zhì)層，全程避免聚合物、水或有機(jī)溶劑接觸，有效保留材料本征特性。基于此工藝構(gòu)建的柔性場(chǎng)效應(yīng)晶體管陣列遷移率達(dá)117 cm2 V?1s?1、亞閾值擺幅68.8 mV dec?1、開關(guān)比1012，并成功集成于軟體機(jī)器人手爪的觸覺傳感系統(tǒng)。受此啟發(fā)，本期我們將聚焦晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體柔性集成中關(guān)鍵薄膜沉積與襯底材料的系統(tǒng)解決方案。
百靈威供應(yīng)從二維半導(dǎo)體CVD生長(zhǎng)原料到高k介質(zhì)層沉積材料、從外延襯底到柔性基底、從電極材料到工藝耗材的全鏈條材料方案，助力您突破柔性電子技術(shù)瓶頸、加速晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體器件研發(fā)。
?產(chǎn)品特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：
高k柵介質(zhì)層沉積材料：提供高純?nèi)趸X（Al?O?） 顆粒/粉末及鋁靶材，適配電子束蒸發(fā)與ALD工藝；同時(shí)提供三甲基鋁（TMA） 等ALD前驅(qū)體及配套氧源，滿足原子層沉積對(duì)前驅(qū)體純度和反應(yīng)活性的嚴(yán)格要求
二維半導(dǎo)體生長(zhǎng)原料：供應(yīng)高純二硫化鉬（MoS?）粉末，是CVD法在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)單晶MoS?薄膜的核心原料
襯底與外延基板：提供藍(lán)寶石襯底（Al?O?） 及碳化硅（SiC） 等多種高質(zhì)量外延基板，適配不同二維材料（MoS?、WS?、WSe?等）的CVD生長(zhǎng)需求
柔性基底：供應(yīng)PET、PEN、PI等柔性透明導(dǎo)電薄膜，是干法轉(zhuǎn)移后承載單晶MoS?薄膜的理想柔性基底
電極材料：提供高純銀、銅、鉬等蒸鍍/濺射靶材與顆粒，用于柔性晶體管源漏電極與柵電極的制備
?應(yīng)用場(chǎng)景：
晶圓級(jí)單晶二維半導(dǎo)體（MoS?、WS?、WSe?等）的CVD外延生長(zhǎng)
氧化物干法轉(zhuǎn)移工藝中電子束蒸發(fā)與ALD沉積——Al?O?界面層與柵介質(zhì)層
高性能柔性場(chǎng)效應(yīng)晶體管陣列與邏輯電路的制備
主動(dòng)矩陣觸覺傳感系統(tǒng)與電子皮膚等柔性電子器件開發(fā)
?相關(guān)產(chǎn)品
?高k柵介質(zhì)沉積材料
| 品名 | CAS | 貨號(hào) | Aluminum oxide, AR
氧化鋁
1344-28-1
Aluminum oxide, 99.99%, metals basis, 5 - 6 μm
氧化鋁
1344-28-1
?二維半導(dǎo)體原料
| 品名 | CAS | 貨號(hào) | Molybdenum(IV) sulfide, 99%
硫化鉬(IV)
1317-33-5
?外延襯底與基板
| 品名 | CAS | 貨號(hào) | Aluminum oxide nanopowder, 99.9%, alpha, particle size: <100 nm, SSA: 15 - 20 m2/g
納米氧化鋁
1344-28-1
Silicon carbide, 99.9%, Particle size: 1-2um
碳化硅
409-21-2
Silicon carbide, 99.9%, metals basis,30-40nm, β-相
碳化硅
409-21-2
?柔性基底
| 品名 | CAS | 貨號(hào) | Flexible Transparent Plastic Backsheet with High Water Barrier Rate, It is recommended to be stored in a glove box
高阻水率柔性透明塑料背板（適合柔性鈣鈦礦封裝）
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?電極材料——蒸鍍/濺射靶材與顆粒
| 品名 | CAS | 貨號(hào) | Silver shot (99.99%)
銀
7440-22-4
Copper shot (99.9999%)
銅粒
7440-50-8
Molybdenum rod (99.95%)
鉬棒(99.95%)
7439-98-7
Silver nanowires, 97%, 5 mg/mL dispersion in isopropanol, diam.: 27 - 33 nm, length: 20 - 30 μm
銀納米線
7440-22-4
Silver nanowires, 97%, 10 mg/mL dispersion in ethanol, diam.: 27 - 33 nm, length: 20 - 30 μm
銀納米線
7440-22-4
?金屬與陶瓷材料（濺射靶材相關(guān)）
| 品名 | CAS | 貨號(hào) | Indium tin oxide, 99.99%, metal basis, 300 mesh, In2O3, 90 wt%; SnO2, 10 wt%
氧化銦錫
50926-11-9
Titanium, 99.7%, Particle size:-325 mesh
鈦
7440-32-6
Titanium boride, 99.9%, metals basis, 3-5μm
二硼化鈦
12045-63-5
Indium particles, 99.999%
銦粒
7440-74-6
Tin particles, 99.9999%
錫粒
7440-31-5
Nickel particles, 99.99%
鎳粒
7440-02-0
Lead, 99.999%, particle
高純鉛
7439-92-1
Bismuth, 99.999%, powder
鉍粉
7440-69-9
Tellurium, 99.9999%, powder
碲粉
13494-80-9
?清洗與工藝耗材
| 品名 | CAS | 貨號(hào) | Cleaning liquid, The pH value is neutral and does not damage the conductive film
清洗液
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Conductive glass cleaning rack, 15mm*15mm, new material of polytetrafluoroethylene
導(dǎo)電玻璃清洗架
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MASK, 130*130mm, Made of 304 stainless steel plate
掩膜板
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