南開大學袁明鑒教授團隊近期在《自然》雜志上報道了一項重磅突破：通過連續(xù)梯度摻雜策略對氧化錫（SnO?）電子傳輸層進行精準調控，成功將正式結構（n-i-p）鈣鈦礦太陽能電池的穩(wěn)態(tài)效率推至27.17% ，開路電壓損失低至295 mV。該研究首次揭示了紋理基底上SnO?/鈣鈦礦埋底界面的能帶失配與電子累積是制約效率的核心物理根源。這一發(fā)現為金屬氧化物電子傳輸層的理性設計開辟了全新路徑。受此啟發(fā)，本期我們將聚焦正式結構鈣鈦礦太陽能電池中電子傳輸層及相關功能材料的系統(tǒng)解決方案，助力科研人員快速搭建高效器件。
百靈威供應正式結構鈣鈦礦太陽能電池全流程材料——從SnO?電子傳輸層到Spiro-OMeTAD空穴傳輸層，從高純前驅體到超干溶劑，助力您復現效率突破、加速器件研發(fā)。
?產品特點與優(yōu)勢：
電子傳輸層材料：提供多規(guī)格SnO?納米分散液（粒徑3-6 nm、6-10 nm），涵蓋水分散液和有機溶劑分散液體系，適配不同涂布工藝與摻雜需求，是梯度摻雜策略的核心原料
富勒烯及衍生物：提供99.9%高純C60、C70及PCBM等，可作為ETL修飾層或單獨電子傳輸層，有效鈍化界面缺陷
空穴傳輸層：高純Spiro-OMeTAD（99.5%）搭配Li-TFSI、tBP等標準摻雜體系，是n-i-p器件的經典HTL方案
鈣鈦礦前驅體：覆蓋FAI（99.99%）、PbI?（99.999%）、CsI等高純原料及預合成鈣鈦礦粉末，支持精準調控組分與帶隙
超干溶劑與添加劑：DMF、DMSO、氯苯等超干級別溶劑，以及多種界面鈍化劑，保障薄膜質量和器件穩(wěn)定性
?應用場景：
正式結構（n-i-p）鈣鈦礦太陽能電池：SnO?基電子傳輸層是該結構的主流選擇
梯度摻雜或能級調控型ETL開發(fā)：多規(guī)格SnO?分散液為摻雜濃度梯度設計提供材料基礎
高效率認證級器件制備：高純前驅體與Spiro-OMeTAD體系是效率紀錄器件的標準配置
埋底界面優(yōu)化研究：富勒烯及PCBM可作為ETL與鈣鈦礦層之間的界面修飾層
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