氮化銅可作為催化劑或催化劑載體，用于烯烴加氫及不飽和化合物硅基化等有機合成反應。

氮化銅是一種共價鍵金屬氮化物，由于其本身結構的特點，其可應用于光信息存儲和高速集成電路領域[2]，實驗發(fā)現當激光的能量密度在15-20kJ/cm2的范圍內就可以在氮化銅膜表面刻蝕出銅的斑點或納米銅線[3]，氮化銅是一種無毒且穩(wěn)定的原料，可以替代以碲元素為基的有毒材料作為光記錄膜材，此外Nosaka等人發(fā)現：在HCl中的氮化銅比Cu更容易被刻蝕，因此在硅片上沉積Cu的金屬線時，氮化銅薄膜可以作為掩膜層，這比現在集成電路加工中使用的Al金屬線可以獲得更高的信號速度[4]。