銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導(dǎo)體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數(shù)為0.60959nm。GaSb具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能，常被用做襯底材料，應(yīng)用于8~14mm及大于14mm的紅外探測(cè)器和激光器。此外，Te摻雜的GaSb可用于制備高光電轉(zhuǎn)化效率的熱光伏器件、迭層太陽(yáng)能電池及微波器件等。通常從熔體中生長(zhǎng)單晶的最常見(jiàn)方法是直拉法（CZ）。但是對(duì)于GaSb材料，單晶生長(zhǎng)過(guò)程中Sb元素更易離解揮發(fā)，將導(dǎo)致熔體內(nèi)Ga：Sb化學(xué)計(jì)量比失衡，從而產(chǎn)生位錯(cuò)缺陷，甚至畸變?yōu)槎嗑?。因此在GaSb單晶生長(zhǎng)過(guò)程中，經(jīng)常采用在普通直拉法坩堝中的熔體表面覆蓋一層液態(tài)覆蓋劑的方法，用來(lái)封閉GaSb熔體，控制熔體中Sb元素的離解揮發(fā)，從而實(shí)現(xiàn)GaSb晶體的穩(wěn)定生長(zhǎng)，這就是液封直拉法（LEC）。同時(shí)，根據(jù)GaSb在熔點(diǎn)附近的離解壓大小，在生長(zhǎng)室內(nèi)充入一定壓力的惰性氣體，加強(qiáng)對(duì)Sb元素離解揮發(fā)的抑制作用。采用LEC法制備GaSb單晶的優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，可靠性更高；單晶爐設(shè)有觀察窗口，晶體的生長(zhǎng)過(guò)程可實(shí)時(shí)觀測(cè)，晶體的生長(zhǎng)參數(shù)可依據(jù)其生長(zhǎng)狀態(tài)及時(shí)調(diào)整。但是采用LEC法制備GaSb單晶的過(guò)程中也存在較多問(wèn)題，比如單晶爐內(nèi)空間相對(duì)開(kāi)放，爐體內(nèi)熱對(duì)流相對(duì)復(fù)雜，晶體生長(zhǎng)缺陷受拉制工藝影響較大，多晶料中Sb元素更易揮發(fā)等。

把20g鎵、34.94g銻放進(jìn)石墨盤(pán)中，裝入石英管內(nèi)，并用氫氣流充分置換掉空氣之后，然后在氫氣流中加熱石英管至720～730℃使其化合。

為了制得GaSb單晶，可以從石英管中慢慢取出，使熔融狀態(tài)的GaSb從盤(pán)的一端開(kāi)始固化形成結(jié)晶。如欲制成半導(dǎo)體用GaSb時(shí)，所用原料盤(pán)及石英管均應(yīng)是高純度的制品，必要時(shí)可進(jìn)行區(qū)域熔融提純。