銻化鎵為半導體材料之一，其中分子里包含了銻和鎵，屬于III-V族，其能隙為 0.726ev，晶格常數(shù)是0.61 nm。銻化鎵通常可以用來做紅外檢測器、紅外發(fā)光二極管、晶體管、激光二極管等用具。
用途
銻化鎵（Gallium Antimonide）是由特別的LEC方法結(jié)晶生長而成的單結(jié)晶，用于紅外線探測器，紅外發(fā)光二極管（LED）、激光、轉(zhuǎn)換器、恒溫光電系統(tǒng)等。
另外，以銻化鎵（GaSb）為代表的III-V族化合物半導體屬于直接遷移性半導體，與硅（Si）系半導體相比，具有能帶隙小，近紅外領(lǐng)域（波長0.8um-2.2um）電磁波可以轉(zhuǎn)化為電力等特征。
以銻化鎵為基礎(chǔ)的太陽能芯片，雖然技術(shù)難度非常大，但是在GaSb襯底上進行的以MBE為主的II-VI族外延片研究也在進行中。
拋光方法
鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提出了一種用于銻化鎵單晶片的拋光方法，應(yīng)用該方法加工后，銻化鎵單晶片襯底表面損傷小、無劃痕和腐蝕坑的缺陷，表面粗糙度低， 可達到粗糙度值Ra小于0.3 nm。
為了達到上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:一種用于銻化鎵單晶片的拋光方法，其特征在于，銻化鎵單晶片的拋光分三步完成，分別是粗拋光、中拋光和精拋光，其步驟如下：
步粗拋光:粗拋光采用氧化鈰拋光墊，拋光液中含有粒徑為W1的氧化鋁磨料， 拋光壓力為100?200 g/cm2,轉(zhuǎn)速10?40轉(zhuǎn)/分鐘，拋光液流量為10-50 mL/min;
第二步中拋光：中拋光采用黑色聚氨酯拋光墊，拋光液中含有粒徑為60-100 nm的 二氧化硅納米磨料和氧化劑次氯酸鈉，拋光壓力為80-150 g/cm2,轉(zhuǎn)速為60-100轉(zhuǎn)/分鐘， 拋光液流量為10-30 mL/min;
第三步精拋光:精拋光采用黑色合成革拋光布，拋光液為無磨料拋光液，拋光壓力 為30-100 g/cm2,轉(zhuǎn)速為20-60轉(zhuǎn)/分鐘，拋光液流量為5-10 mL/min。