銻化鎵為半導(dǎo)體材料之一，其中分子里包含了銻和鎵，屬于III-V族，其能隙為 0.726ev，晶格常數(shù)是0.61 nm。銻化鎵通常可以用來做紅外檢測器、紅外發(fā)光二極管、晶體管、激光二極管等用具。

銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導(dǎo)體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數(shù)為0.60959nm。GaSb具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能，常被用做襯底材料，應(yīng)用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激光器。此外，Te摻雜的GaSb可用于制備高光電轉(zhuǎn)化效率的熱光伏器件、迭層太陽能電池及微波器件等。