半導體制造業(yè)的不斷發(fā)展，使得必須尋找適合ALD和CVD使用的高k和金屬柵材料前驅(qū)物。對于32nm技術(shù)節(jié)點來講，材料的揮發(fā)性，輸運方式以及純度等問題變得至關(guān)重要。隨著信息存儲和獲取量的大幅提升，對于更高K值材料的需求也不斷升溫，這些材料遍布從氧化鋁到稀有金屬中任何可用的元素。選擇恰當?shù)母逰材料，可滿足介電常數(shù)、熱力學穩(wěn)定性、柵極電極兼容和界面層穩(wěn)定性等生產(chǎn)上的要求。

研制四(二甲胺基)鈦化合物正是針對以上高K前驅(qū)體的用途而進行的。四(二甲胺基)鈦常溫下是液體，是對空氣和水汽非常敏感的化合物，能溶于醇類、苯、四氯化碳等有機溶劑中，不僅具有較好的穩(wěn)定性、較高的蒸汽壓，而且表現(xiàn)出了相當高的反應性，是現(xiàn)今ALD研究領(lǐng)域的熱點。

合成方法

目前報道的四(二甲胺基)鈦的合成方法主要有兩種。一種是用四氟化鈦和Me3Si2在乙醚中反應制得，但其中乙醚作溶劑揮發(fā)性強且易燃，反應的兩個原料中四氟化鈦不易獲得,價格昂貴，而Me3SiWe2需預先制備，制備過程復雜，成本高，所以這種合成方法很不理想。另一種方法是先將丁基鋰和二甲胺反應生成二甲胺的鋰鹽，然后再和四氯化鈦反應制得最后的目標產(chǎn)物，這種方法相較之下比種方法更可取，更加合理。

但目前報道的這類方法中，多以用乙醚作為丁基鋰和二甲胺反應的溶劑，反應完成后需加入四氫呋喃為輔助溶劑溶解生成的二甲胺鋰鹽，同時再用甲苯作為下一步二甲胺鋰鹽和四氯化鈦反應的溶劑，操作過程非常復雜，大量多種溶劑的使用不僅造成浪費和污染，而且后處理蒸餾除去溶劑時增加了不必要的工作量。報道的方法多為需要進行過濾，而生成的氯化鋰鹽顆粒非常細小，在體系中還很粘稠，過濾非常困難，耗時很長，這就給后處理操作帶來很大的麻煩。

CN103193818A公開了一種四（二甲胺基）鈦的合成方法，包括如下步驟：

在惰性氣氛保護下，在反應器中加入二甲胺和烴類溶劑，然后向體系中加入有機鋰化合物，制得二甲胺的鋰鹽；向體系中加入四氯化鈦；反應結(jié)束后進行蒸餾，得到所述四（二甲胺基）鈦。本發(fā)明合成方法不需要分步使用多種不同的溶劑，只以簡單的單一烴類作為唯一的反應溶劑，降低了成本和反應的毒性，具有更好的操作可行性，更有助于規(guī)?；纳a(chǎn)。而且反應不需要經(jīng)過過濾從體系中除去生成的氯化鋰鹽的過程，而是直接蒸餾得到目標化合物，從而簡化操作。反應過程中的副產(chǎn)物相對較少，產(chǎn)率較高。