氮化銦(InN)發(fā)展成為新型的半導(dǎo)體功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料中，氮化銦具有良好的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電學(xué)傳輸特性，它有最大的電子遷移率、最大的峰值速率、最大的飽和電子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的帶隙、最小的電子有效質(zhì)量等優(yōu)異的性質(zhì)，這些使得氮化銦相對(duì)于氮化鋁(AlN)和氮化鎵(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更適合用于制備高頻器件，在高頻率、高速率晶體管的應(yīng)用開(kāi)發(fā)方面具有非常獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，尤其在在制備太赫茲器件，化學(xué)傳感器、半導(dǎo)體發(fā)光二極管、全光譜太陽(yáng)能電池等光電器件領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用價(jià)值。