日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標(biāo)志著該校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。

Ga 2 O 3 是金屬鎵的氧化物，同時(shí)也是一種半導(dǎo)體化合物。其結(jié)晶形態(tài)截至目前已確認(rèn)有α、β、γ、δ、ε五種，其中，β結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定。與Ga 2 O 3 的結(jié)晶生長(zhǎng)及物性相關(guān)的研究大部分圍繞β結(jié)構(gòu)展開。研究人員曾試制了金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，盡管屬于未形成保護(hù)膜鈍化膜的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，但是樣品已經(jīng)顯示出耐壓高、泄漏電流小的特性。在使用碳化硅和氮化鎵制造相同結(jié)構(gòu)的元件時(shí)，通常難以達(dá)到這些樣品的指標(biāo)。

電子工業(yè)正在盡可能地將硅最大化應(yīng)用，但其畢竟還是有局限的，這就是為什么研究人員正在探索其它材料，如碳化硅，氮化鎵和氧化鎵。雖然氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其帶隙（約4.8電子伏特或eV）超過碳化硅（約3.4eV），氮化鎵（約3.3eV）和硅（1.1eV）的帶隙。

近年來氧化鎵晶體生長(zhǎng)技術(shù)的突破性進(jìn)展，極大地推動(dòng)了相關(guān)的薄膜外延、日盲探測(cè)器、功率器件、高亮度紫外LED等器件的研究，是國(guó)際上超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)也于2018年發(fā)布了相關(guān)的研究指南“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究（基礎(chǔ)研究類）”，也極大帶動(dòng)了國(guó)內(nèi)相關(guān)科研機(jī)構(gòu)的研究興趣，近年來，我國(guó)科學(xué)工作者在氧化鎵材料和器件研究方面取得了重要的進(jìn)展。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們?cè)谖磥淼拇蠊β?、高溫、高壓?yīng)用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景。