氮化鋁新聞專(zhuān)題
氮化鋁：新一代功率半導(dǎo)體
在2023年12月于舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)上，名古屋大學(xué)的研究人員介紹了一種基于氮化鋁合金的二極管制造方法，每厘米能夠承受7.3兆伏的電場(chǎng)，且電阻非常低。
2024/8/19 13:19:08
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氮化鋁的特征和應(yīng)用
近幾年，碳化硅作為一種無(wú)機(jī)材料，其熱度可與“半導(dǎo)體”、“芯片”、“集成電路”等相提并論，它除了是制造芯片的戰(zhàn)略性半導(dǎo)體材料外，因其獨(dú)有的特性和優(yōu)勢(shì)受到其它眾多行業(yè)的青睞，可謂是一種明星材料。而隨著集成電路成為了國(guó)家戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，很多半導(dǎo)體材料得以被研究開(kāi)發(fā)，氮化鋁無(wú)疑是其中最具有發(fā)展前景的半導(dǎo)體材料之一。
2022/10/28 9:46:49
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氮化鋁材料簡(jiǎn)介
碳化硅作為一種無(wú)機(jī)材料，其熱度可與“半導(dǎo)體”、“芯片”、“集成電路”等相提并論，它除了是制造芯片的戰(zhàn)略性半導(dǎo)體材料外，因其獨(dú)有的特性和優(yōu)勢(shì)受到其它眾多行業(yè)的青睞，可謂是一種明星材料。
2021/5/20 14:51:23
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氮化鋁(AlN)是一種新型無(wú)機(jī)材料
氮化鋁，共價(jià)鍵化合物，是原子晶體，屬類(lèi)金剛石氮化物、六方晶系，纖鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu)，無(wú)毒，呈白色或灰白色。AlN最高可穩(wěn)定到2200℃。室溫強(qiáng)度高，且強(qiáng)度隨溫度的升高下降較慢。導(dǎo)熱性好，熱膨脹系數(shù)小，是良好的耐熱沖擊材料。抗熔融金屬侵蝕的能力強(qiáng)，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。
2020/11/12 14:05:34
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氮化鋁陶瓷的濕法成型工藝
氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的絕緣性、導(dǎo)熱性、耐高溫性、耐腐蝕性以及與硅的熱膨脹系數(shù)相匹配等優(yōu)點(diǎn)，成為新一代大規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體模塊電路及大功率器件的理想散熱和封裝材料。成型工藝是陶瓷制備的關(guān)鍵技術(shù)，是提高產(chǎn)品性能和降低生產(chǎn)成本的重要環(huán)節(jié)之一。 隨著工業(yè)技術(shù)的高速發(fā)展，傳統(tǒng)的成型方法已難以滿(mǎn)足人們對(duì)陶瓷材料在性能和形狀方面的要求。陶瓷的濕法成型近年來(lái)成為研究的重點(diǎn)，因?yàn)闈穹ǔ尚途哂泄に嚭?jiǎn)單、生產(chǎn)效率高、成本低和可制備復(fù)雜形狀制品等優(yōu)點(diǎn)，易于工業(yè)化推廣。
2020/10/21 8:46:11
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氮化鋁陶瓷材料應(yīng)用
目前，封裝基板材料主要采用氧化鋁陶瓷或高分子材料，但隨著電子產(chǎn)品的小型化，使集成電路(IC)和電子系統(tǒng)在半導(dǎo)體工業(yè)上也朝向高集成密度以及高功能化的方向發(fā)展。因此，如今對(duì)于電子零件的承載基板要求越來(lái)越嚴(yán)格，其中，高熱導(dǎo)率更加成為電路高度集成化和小型化的突破口，氧化鋁陶瓷基板也越來(lái)越難以滿(mǎn)足發(fā)展要求。由于AlN具有良好的物理和化學(xué)性能逐步成了封裝材料的首要選擇。
2019/11/1 13:25:53
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氮化鋁的制備及用途
氮化鋁為灰白色正交晶系或六方晶系結(jié)晶，在濕空氣中有氨味。熔點(diǎn)2200℃(0.45MPa、氮?dú)饬髦?，沸點(diǎn)(分解)，莫氏硬度9～10度。室溫下強(qiáng)度高，隨溫度的升高，強(qiáng)度下降，彎曲強(qiáng)度30～40Pa。
2018/11/7 9:35:22
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